レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎と具体的なトラブル対策

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1．リソグラフィの基礎

1.1 露光

1.2 照明方法

　1.2.1輪帯照明

1.3 マスク

　1.3.1 位相シフトマスク

　1.3.2 光近接効果補正（OPC）

　1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）

2．レジストの基礎

2.1 溶解阻害型レジスト

　2.1.1 g線レジスト

　2.1.2 i線レジスト

2.2 化学増幅型レジスト

　2.2.1 KrFレジスト

　2.2.2 ArFレジスト

2.3 ArF液浸レジスト/トップコート

2.4 EUVレジスト

　2.4.1 化学増幅型EUVレジスト

　2.4.2 EUVネガレジストプロセス

　2.4.3 EUVメタルレジスト

　2.4.4 EUVメタルドライレジストプロセス

3．レジスト・微細加工用材料のトラブル対策

3.1 レジストパターン形成不良への対応

　3.1.1 パターン倒れ

　3.1.2 パターン密着性不良

　3.1.3 パターン形状不良

　3.1.4 チップ内のパターン均一性不良

3.2 化学増幅型レジストのトラブル対策

　3.2.1 レジスト材料の安定性

　3.2.2 パターン形成時の基板からの影響

　3.2.3 パターン形成時の大気からの影響

3.3 ArF液浸レジストのトラブル対策

3.4 ダブルパターニング、マルチパターニングのトラブル対策

　3.4.1 リソーエッチ（LE）プロセス用材料

　3.4.2 セルフアラインド（SA）プロセス用材料

3.5 EUVレジストの課題と対策

　3.5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ

　3.5.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）

3.6 自己組織化（DSA）リソグラフィのトラブル対策

　3.6.1 グラフォエピタキシー用材料

　3.6.2 ケミカルエピタキシー用材料

3.7 ナノインプリントリソグラフィのトラブル対策

　3.7.1 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ

　3.7.2 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ

4．最新のロードマップと先端デバイスの動向

5．レジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

質疑・応答