表面分析の基礎,表面分析の考え方・活用法,XPSの手法基礎、測定のコツ・ポイント,解析のコツ・ポイントについて,具体的事例をふまえ,分かりやすく解説する特別セミナー！！
- 講師
ジャパン・リサーチ・ラボ 代表 博士（工学） 奥村 治樹 先生 東レ、パナソニック等にて材料開発・開発マネジメント業務を経て現在に至る
- 日時
- 会場
- ※本セミナーはWEB受講のみとなります。
- 受講料
- （消費税率10%込）1名：49,500円 同一セミナー同一企業同時複数人数申込みの場合 1名：44,000円
※別途テキストの送付先1件につき、配送料1,210円（内税）を頂戴します。
- テキスト
受講概要
受講形式 WEB受講のみ ※本セミナーは、Zoomシステムを利用したオンライン配信となります。 ※Live配信のみ,録画視聴はありません。 テキスト 製本資料（受講料に含む） ※別途テキストの送付先1件につき、配送料1,210円（内税）を頂戴します。 受講対象 ・研究開発部門、分析部門、製造部門、品質保証部門など技術部門全般 ・若手から中堅を中心とした担当者 ・XPSの教育を行うリーダー、マネージャー 予備知識 特に必要ありません。 習得知識 １）表面分析の基礎 ２）表面分析の考え方と活用法 ３）XPSの手法基礎 ４）測定のコツ、ポイント ５）解析のコツ、ポイント 講師の言葉 表面、界面はあらゆる技術や製品の基盤となるものであり、現在扱われる材料やプロセス、技術、商品で表面や界面が関与していないものは無いと言っても過言ではありません。そのため様々な分析手法が開発されているが、その中の代表がX線光電子分光法（XPS、ESCA）です。装置の発達で測定は比較的容易になってきているとはいえ、それと共に間違った理解や手順で測定、解析を行い、正しい情報が得られていないケースが増えています。 本セミナーでは、表面、界面の基礎から、XPSの原理基礎はもちろん、測定、解析の手順、技術的テクニック、コツやノウハウまで応用事例を交えて解説します。
プログラム
1 【表面とは】 1.1 表面・界面の重要性 1.2 表面（薄膜）とは？ 1.3 XPSで分析する表面の要素 1.4 XPSが対象とする表面現象 2 【表面分析の分類 】 2.1 表面分析に用いる主な手法と選び方 2.2 表面・微小部の代表的分析手法 3 【サンプルの取り扱い】 3.1 表面分析の心構え 3.2 サンプリング 3.3 サンプリング（粉末） 3.4 裏表の表示 3.5 汚染の例 4 【XPSの基本】 4.1 光電子の発生 4.2 XPSの原理と特徴 4.3 XPSの検出深さ 4.4 Binding Energy の規則性 4.5 XPS装置の基本構造 4.6 X線源 4.7 光電子アナライザー 4.8 ワイドスキャン（サーベイスキャン） 4.9 ナロースキャン（代表的な元素） 4.10 バックグラウンド 4.11 エネルギー損失ピーク 4.12 シェイクアップサテライト 4.13 電荷移動サテライト 4.14 金属ピークの非対称性 4.15 サテライトピークの利用 5 【測定条件】 5.1 より正確な定量値を得るために 5.2 積算回数 5.3 パスエネルギーの影響 5.4 ピークの重なり 6 【チャージアップ対策】 6.1 チャージアップとは 6.2 チャージアップの影響と対応 6.3 帯電中和のメカニズム 6.4 電子-Arイオン同軸照射型帯電中和機構 6.5 中和銃の設定例 6.6 チャージアップ補正条件 6.7 化学状態による違い 6.8 チャージアップへの工夫 7 【解析の基本】 7.1 バックグラウンド処理 7.2 XPSにおける定量 7.3 感度係数 7.4 相対感度係数の例 7.5 より正確な定量値を得るために 7.6 スペクトルのピーク分離 7.7 ピーク分離のテクニック 8 【化学状態解析】 8.1 元素同定 8.2 化学状態の同定（Ｃ１ｓ） 8.3 C1sケミカルシフト 8.4 ポリマーの分析例 8.5 金属の価数評価 8.6 ケミカルシフトの注意点 8.7 チタンの化学状態 9 【構造解析】 9.1 異なる構造のTi2p 9.2 バレンスバンドの活用 9.3 例（アナターゼ＆ルチル） 9.4 異なる構造のバレンスバンド 9.5 アナターゼ／ルチル比 9.6 アナターゼ／ルチル混合比 9.7 XRDとの比較 9.8 XPSによる混合比解析と光活性 9.9 XPSによる光活性解析 9.10 価電子帯スペクトルの活用 9.11 オージェピークの活用 9.12 オージェパラメーターの活用 10 【深さ方向分析】 10.1 【角度変化法】 10.1.1 XPSにおける分析深さ 10.1.2 角度変化測定による深さ方向分析 10.1.3 IMFPの計算 10.2 【イオンエッチング】 10.2.1 イオン銃の基本構造 10.2.2 デプスプロファイルのワークフロー 10.2.3 エッチレートの決定 10.2.4 試料の回転 10.2.5 デプスプロファイル測定の設定のポイント 10.2.6 イオンエッチングダメージ 10.2.7 酸化膜の深さ方向分析 10.2.8 イオンエッチングによるクロスコンタミ 10.3 【測定ダメージとその抑制】 10.3.1 ポリマーへのArイオン照射 10.3.2 イオンエッチングダメージ 10.3.3 クラスターイオン銃 10.3.4 エッチング条件と効果 10.3.5 エッチング条件とスパッタレート 10.4 HAXPES 11 【イメージング】 11.1 Si基板上のCrパターンのマッピング 11.2 Atomic% Mapping 11.3 マッピングとパラレルイメージング 11.4 イメージング測定の例 12 【ハイブリッド分析】 12.1 ハイブリッド分析 12.2 XPSによる光触媒の解析 12.3 XPS&ラマン 12.4 光活性とXPS、ラマン解析結果 13 【その他補足】 13.1 界面で正体不明のピークシフト 13.2 再汚染の影響（Si基板） 13.3 参考文献等 13.4 ちょっと便利なサイトやソフト 14 【解析の実例】 14.1 【ＸＰＳによる紫外線照射ＰＩの解析】 14.2 【表面構造変化の解析（XPS）】 14.3 【気相化学修飾法】 15 【まとめ】 16 質疑 講師紹介 略歴 大手分析メーカーにて、表面分析、分光分析を中心に、各種工業材料、半導体の表面、界面の 研究開発支援業務に従事しながら、国内外機関と、有機EL材料、半導体リソグラフィープロセス、 塗料・コーティング、接着剤などの分野共同研究を行った。 その後、大手電機メーカーに引き抜かれ、ハイブリッド材料、ナノ粒子などの開発を行った。 現在は、ジャパン・リサーチ・ラボ代表として、総合技術コンサルティング、人材育成、 調査・企画、講演・執筆などを行っている。 大阪大学 工学部 招聘研究員 大阪産業大学 情報システム学科 非常勤講師 大阪市産業創造館 技術・経営相談員を兼務