リソグラフィの基礎知識・最新技術,レジスト材料の基礎知識,材料の特性,課題と対策,
最新技術動向などについて、具体的に分かりやすく解説する特別セミナー！！
- 講師
大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 遠藤 政孝 先生 工学博士 パナソニック(株)半導体研究センターを経て現職。
- 日時
- 会場
- 受講料
- （消費税等込み）1名：49,500円 同一セミナー同一企業同時複数人数申込みの場合 1名：44,000円
- テキスト
受講概要
受講対象 本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、 新規事業開発担当、企画担当、特許担当の方。 予備知識 基本から解説しますので予備知識は不要です。 習得知識 1)リソグラフィの基礎知識・最新技術 2)レジスト材料の基礎知識 3)レジスト材料の特性 4)レジスト材料の課題と対策 5)レジスト材料の最新技術・ビジネス動向 など 講師の言葉 メモリー、マイクロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の 高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいています。 本講演では、半導体の微細化を支えるリソグラフィの基礎・最新技術、および、 レジスト材料の基礎と、特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、 市場動向についてまとめます。
プログラム
1.リソグラフィの基礎 1.1露光 1.1.1コンタクト露光 1.1.2ステップ＆リピート露光 1.1.3スキャン露光 1.2照明方法 1.2.1斜入射（輪帯）照明 1.3マスク 1.3.1位相シフトマスク 1.3.2光近接効果補正（OPC） 1.3.3マスクエラーファクター（MEF） 1.4レジストプロセス 1.4.1反射防止プロセス 1.4.2ハードマスクプロセス 1.4.3化学機械研磨（CMP）技術 1.5ロードマップ 1.5.1 IRDSロードマップ 1.5.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢 2.レジスト材料の基礎 2.1溶解阻害型レジスト 2.1.1 g線レジスト 2.1.2 i線レジスト 2.2化学増幅型レジスト 2.2.1 KrFレジスト 2.2.2 ArFレジスト 2.2.3化学増幅型レジストの安定化技術 3.レジスト材料の進展 3.1液浸リソグラフィ 3.2ダブル/マルチパターニング 3.2.1リソーエッチ（LE）プロセス 3.2.2セルフアラインド（SA）プロセス 3.3 EUVリソグラフィ 3.3.1 EUVレジストの設計指針 3.3.2 EUVレジストの課題と対策 3.3.2.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ 3.3.2.2ランダム欠陥（Stochastic Effects） 3.3.3最新のEUVレジスト 3.3.3.1分子レジスト 3.3.3.2ネガレジスト 3.3.3.3ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト 3.3.3.4無機/メタルレジスト 3.4.自己組織化（DSA）リソグラフィ 3.4.1グラフォエピタキシー 3.4.2ケミカルエピタキシー 3.4.3高χ（カイ）ブロックコポリマー 3.5.ナノインプリントリソグラフィ 3.5.1加圧方式 3.5.2光硬化式 4.レジスト材料の技術展望、市場動向 5.質疑応答 講師紹介 1983年 松下電器産業株式会社入社。 以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、 半導体リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の開発に従事。 2009年～ 大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料の研究開発に従事。