SiC/GaNパワー半導体のポテンシャルと応用事例，GaNパワー半導体のゲート駆動回路設計法と応用手法，
SiC/GaN半導体応用時の体積，熱，効率，ノイズ面の技術的インパクトについて解説する特別セミナー！！
- 講師
名古屋大学 未来材料・システム研究所 教授 博士（工学） 山本 真義 先生
- 日時
- 会場
- 受講料
- 1名:48,600円 同時複数人数申込みの場合 1名:43,200円
- テキスト
受講概要
予備知識
パワー半導体（MOS-FETやIGBT）の駆動に関する基礎知識があった方が良いです。
習得知識
1)SiC/GaNパワー半導体のポテンシャルを応用事例 2)GaNパワー半導体のゲート駆動回路設計法と応用手法 3)SiC/GaNパワー半導体応用時の技術的インパクト
講師の言葉
次世代パワー半導体の情報が世に出て久しい。しかしながら、現状では産業応用分野等におけるブレークスルーは起こっておらず、 今後の応用分野も未だ定まっていない。その理由として、応用における対コスト効果という問題点も挙げられるが、開発現場における 使いこなしの技術ハードルも、その一因と言える。 特に、ゲート・ソース間が非絶縁となるGaN HEMT、GaN GITについては、ゲート駆動回路において特殊な設計法が必要となり、 従来の抵抗値のみの設計に対して技術的な抵抗が大きい。これらの技術的、心理的なハードルを払拭すべく、特にGaNパワー半導体に おけるゲート駆動回路設計法と、その応用手法について詳細に図説を行う。さらに、従来のインバータやDC-DCコンバータにSiCや GaNパワー半導体を適用した技術的なインパクトについて、体積、熱、効率、ノイズの各側面から議論していく。
プログラム
１．新材料パワー半導体の棲み分け １−１ SiCパワー半導体の適用が有効な分野 １−２ SiCパワー半導体が既に適用されている事例紹介 １−３ GaNパワー半導体の適用が有効な分野 １−４ GaNパワー半導体が既に適用されている事例紹介 １−５ 酸化ガリウムパワー半導体の可能性 ２．SiCパワー半導体のポテンシャル ２−１ スイッチング評価回路の説明（ダブルパルス回路とは？） ２−２ スイッチング評価回路の実機構成 ２−３ SiC MOS-FET v.s. Si MOS-FET ２−４ SiC MOS-FET v.s. Si IGBT ２−５ スイッチング損失の総合評価 ３．SiCパワー半導体の応用事例 ３−１ 様々なSiC用ゲート駆動回路 ３−２ SRモータ駆動回路 ３−３ 鉄道用応用事例 ３−４ 航空機用応用事例 ４．GaNパワー半導体のポテンシャル ４−１ GaN HEMTの基本と特徴 ４−２ GaN HEMTとカスケード接続型GaN FETの違い ４−３ GaN HEMTのゲート駆動回路（DC-DCコンバータ用） ４−４ GaN-HEMTのPFCコンバータへの適用事例 ５．GaN HEMT用ゲート駆動回路（インバータ用）の設計法 ５−１ GaN HEMT用ゲート駆動回路の設計思想 ５−２ インバータに適用した場合のGaN HEMTの問題点 ５−３ インバータに適したGaN-HEMT用ゲート駆動回路の設計法 ５−４ 様々なGaN HEMT用ゲート駆動回路 ６．GaNパワー半導体応用時の問題点 ６−１ GaN HEMTのインバータ適用時の問題点 ６−２ GaN HEMTのインバータ適用時の誤オン解析 ６−３ 誤オン抑制のためのシミュレーション解析手法 ６−４ 誤オン解析事例（LT-Spice、TCAD） ７．GaNパワー半導体の応用事例 ７−１ 全出力領域99%GaNインバータ ７−２ 3W/cc超GaN適用DC-DCコンバータ ７−３ 13.56MHzGaN適用φ2インバータ
講師紹介
2003年山口大学大学院理工学研究科博士後期課程修了。同年4月サンケン電気（株）入社。 2006年4月島根大学総合理工学部電子制御システム工学科講師，2011年4月島根大学総合理工学部電子制御システム工学科准教授， 2016年12月名古屋大学 未来材料・システム研究所 客員准教授，2017年5月名古屋大学 未来材料・システム研究所 教授，現在に至る。 博士（工学）。 現在の研究は，ハイブリッドカー用電源（昇圧コンバータ，降圧コンバータ，三相インバータとそれらのディジタル制御化，IC化）， 電気自動車用充電システム，トンネル用LED照明システム，スイッチング電源におけるノイズ解析，非接触給電システム， 新デバイス駆動回路等。パワーエレクトロニクス学会，電気学会，IEEE会員。