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先端パワーモジュールの特性を理解し,モジュール化を進めるための

最新パワーモジュールの接合・封止・放熱技術と最新組立・実装技術動向

エレクトロニクス

パワーモジュールのパッケージ技術,実装技術,SiCデバイスのモジュール技術,パワーモジュールの信頼性向上技術,
 最新パワーモジュールの接合・封止・放熱技術と最新組立・実装技術動向について詳細に解説する特別セミナー!!

講師

富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部
         技師長 工学博士 高橋 良和 先生

日時
会場

連合会館 (東京・お茶の水)

会場案内

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受講料
1名:48,600円 同時複数人数申込みの場合 1名:43,200円
テキスト

受講概要

受講対象

 ・これからパワーモジュールを研究・開発しようとするエンジニア
 ・最新パワーモジュールをパワエレ装置に適用して行くエンジニア
  など

予備知識

 簡単な半導体の知識

習得知識

 パワーモジュールの基板技術と最新情報、パワエレ装置への適用状況とパワーモジュールの使い方

講師の言葉

 最新のパワーエレクトロニクス(以降、パワエレ)技術を駆使した地球環境対策、電力消費削減対策が注目されている。
 パワエレ技術は産業機器、鉄道車両などのモータコントロール分野から、ハイブリッドカーや電気自動車におけるCO2排出量削減、
さらには太陽光、風力発電などの新エネルギーの電力変換分野など様々な分野に適用されており、システム化、高効率化、
使用環境の多様化が進んできている。
 そして、このような方向性の中、パワエレを支えるパワー半導体モジュールに対しては、
 ①小型化・軽量化 (低熱抵抗技術・高放熱/高効率冷却技術)
 ②高耐熱化 (高耐熱樹脂材料技術・高耐熱接合技術)
 ③大電流化・高周波化 (低配線抵抗技術・低内部インダクタンス技術)
 ④高信頼性(特に高温領域でのパワーサイクル耐量の向上) が要求されて来ている。
 特に最近ではSiCパワーモジュールなどの先端パワーモジュールの適用が開始されつつあるが、パワー密度が高くなり、
高温で動作可能となった反面、その特性を十分に理解しモジュール化することの必要性が益々強くなってきている。
 本講演では、最新パワーモジュールの接合・封止・放熱技術と最新組立・実装技術動向に関して詳細に説明する。

プログラム

1.パワー半導体の種類と適用分野
 (1)パワー半導体(パワーモジュール)とは?
 (2)パワー半導体(パワーモジュール)の動作とインバータの動作
 (3)パワー半導体(パワーモジュール)の世界の研究・開発の状況
 (4)パワー半導体(パワーモジュール)の適用分野とアプリケーション例
2.最新パワーデバイスの動向
 (1)IGBT
 (2)RB-IGBT
 (3)RC-IGBT
 (4)SiCデバイス
  (ショットキーバリアーダイオード、 MOS-FET)
3.パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
 (1)パワーモジュールパッケージの種類と動向
 (2)パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題
  ・高放熱化・高信頼性化など
 (3)EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
4.SiCデバイスのモジュール技術
 (1)SiCデバイスモジュール技術の課題
 (2)小型化、高温化、高放熱化、高信頼性化など
5.パワーモジュールの信頼性向上技術
6.パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
 (1)パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
 (2)放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
7.まとめと今後に向けて

講師紹介

 早稲田大学 理工学部卒業後 富士電機入社
 入社以来、パワー半導体研究開発に従事
 現在 富士電機㈱ 電子デバイス事業本部 開発統括部 技師長
 山梨大学 大学院 客員教授
 早稲田大学 客員上級研究員
 電気学会、エレクトロニクス実装学会、応用物理学会、日本デザイン学会