4代目プリウス用PCU分解から読み解く車載用パワー半導体、
各部品の最新技術とSiC化に伴う技術動向予測

1.　トヨタ・4代目プリウスにおける各主要電子部品
　1.1　パワーコントロールユニット（PCU）
　　　 全体像、冷却配管ラインの確認
　1.2　電動パワーステアリング（EPS）
　　　 分解後の基板、モータ搭載状況確認
　1.3　エアコン用コンプレッサ
　　　 分解後の基板、冷却系、モータ部確認
　1.4　大容量バッテリと鉛蓄電池
　　　 バッテリ用冷却系、搭載状況、ニッケル水素電池とリチウムイオン電池の違い
2.　4代目プリウス用PCUの分解概略説明（上部層）
　2.1　PCUの搭載位置とスケール
　　 　2代目プリウスとのPCUの容量比較、その車両システムにおける
　　 　小型化効果
　2.2　ECU・ゲートドライブ回路搭載ボード
　　 　使用ECUメーカ、ゲートドライブ用抵抗、ICの確認
　2.3　パワー半導体とその冷却部
　　 　使用IGBTのパッケージ構造図説、冷却方式の分解図説
　2.4　平滑用キャパシタ
　　 　パナソニック製フィルムキャパシタの容量、性能解説
　2.5　電流センサ
　　 　3代目プリウスとの電流センサ性能の比較、その性能向上による
　　 　PCU小型化効果
　2.6　昇圧チョッパ用インダクタ
　　　 インダクタンス値、構造、ギャップ数等
3.　4代目プリウス用PCUの分解概略説明（下部層）
　3.1　冷却系（パワー半導体用）
　　 　パワー半導体の冷却部と昇圧チョッパ用インダクタの冷却方式の
　　 　分解確認（デンソー製）
　3.2　冷却系（DC-DCコンバータ用）
　　 　降圧用DC-DCコンバータの冷却方式と、出力側ダイオードにおける
　　 　新しい冷却手法（豊田自動織機製）
　3.3　絶縁DC-DCコンバータ
　　 　トランス、平滑キャパシタ、インダクタの分解解説と
　　 　使用コア材料の分解確認
　3.4　平滑用キャパシタ
　　 　平滑用キャパシタのX線写真による分析結果
4.　5代目プリウスにSiCパワー半導体が搭載される場合の技術動向予測
　4.1　SiCパワー半導体のスイッチング周波数予測
　　　 Siの上限周波数である10kHzに対してSiCパワー半導体では
　　 　どこまで高周波化するのか
　4.2　SiCパワー半導体の接合温度予測
　　　 現状の接合温度に対してSiCパワー半導体は
　　 　どこまで温度上昇を許容できるのか
　4.3　平滑キャパシタの使用種類予測
　　　 パワー半導体部での発熱許容により、使用する平滑キャパシタは
　　 　どの様に変化するのか、その要求性能の具体的掲示
　4.4　昇圧チョッパの必要性の有無
　　　 今後、トヨタが採用（ホンダの一部車種含）する昇圧チョッパを
　　 　前段に配置するPCU方式は今後、拡充するか淘汰されるか
　4.5　次世代リチウムイオンバッテリの予測
　　　 次世代プリウスに搭載される可能性の
　　 　高いリチウムイオンバッテリの選定と紹介
　4.6　次世代パワー半導体モジュールの最前線
　　　 現状のPCUでのパワー半導体モジュール手法に対して、
　　 　SiCパワー半導体の搭載により、ボンディング手法、使用はんだ、
　　 　パッケージ樹脂の最新動向を示す

講師紹介

　2003年山口大学大学院理工学研究科博士後期課程修了。同年4月サンケン電気（株）入社。
　2006年4月島根大学総合理工学部電子制御システム工学科講師，2011年4月島根大学総合理工学部電子制御システム工学科准教授，
　2016年12月名古屋大学 未来材料・システム研究所 客員准教授，現在に至る。博士（工学）。
　現在の研究は，ハイブリッドカー用電源（昇圧コンバータ，降圧コンバータ，三相インバータとそれらのディジタル制御化，IC化），
　電気自動車用充電システム，トンネル用LED照明システム，スイッチング電源におけるノイズ解析，非接触給電システム，
　新デバイス駆動回路等。パワーエレクトロニクス学会，電気学会，IEEE会員。