パワー半導体デバイス・パッケージの最新技術,シリコンMOSFET・シリコンIGBTの強み,SiC/GaNパワーデバイスの特長・課題,パワー半導体デバイス全体・SiC/GaN市場予測,シリコンIGBT・SiCデバイス実装技術,SiC/GaNパワーデバイス特有の設計・プロセス技術について,豊富な経験を基に分かりやすく解説する特別セミナー！！
- 講師
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士（工学） 岩室 憲幸 先生 富士電機（株）,(独)産業技術総合研究所を経て現在に至る
- 日時
- 2024/4/9（火） 10:00〜16:00
- 会場
- ※本セミナーはWEB受講のみとなります。
- 受講料
- （消費税率10%込）1名：49,500円 同一セミナー同一企業同時複数人数申込みの場合 1名：44,000円
- テキスト
- PDF資料（受講料に含む）
受講概要
受講形式 WEB受講のみ ※本セミナーは、Zoomシステムを利用したオンライン配信となります。 受講対象 パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者 予備知識 教養程度の工学の知識があれば十分です。 習得知識 １）パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向 ２）シリコンMOSFETならびにシリコンIGBTの強み ３）SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題 ４）パワー半導体デバイス全体ならびにSiC/GaN市場予測 ５）シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術 ６）SiC/GaNパワーデバイス特有の設計ならびにプロセス技術 など 講師の言葉 2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった。さらにEC(イーコマース)の普及等により最近データセンターが多くい建設されているが、その電力消費は急増しており大きな課題となりつつある。そのためデータセンター内のサーバ用電源の高効率化への取り組みも待ったなしの状況にある。 上記xEVの性能向上やサーバ用電源の効率を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、最新シリコンMOSFET/IGBTに加えSiC/GaNデバイスも普及が始まりつつあり、今後はSiC/GaNを中心にした新材料パワー半導体デバイスの伸長が大いに期待されている。SiC/GaNを中心とした新材料パワーデバイスが、その市場を大きく伸長するためのポイントは何か。最強の競争相手であるシリコンMOSFET/IGBTの現状や最新技術と比較しながら、SiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイスの最新開発技術と今後の動向について、実装技術や市場予測を含め詳しく解説する。
プログラム
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 最近のトピックスから
1.5 新パワーデバイス開発の位置づけ
1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1.7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
2.2 MOSFET特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
2.5 IGBT特性改善の次の一手
2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2.7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4.2 GaNデバイスの構造
4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4.5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4.6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4.7 GaN-HEMTの課題
4.8 縦型GaNデバイスの最新動向
５．SiCパワーデバイス実装技術の進展
5.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
5.2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
5.3 接合材について
5.4 銀または銅焼結接合技術
5.5 SiC-MOSFETモジュール技術
６．まとめ
質疑・応答
講師紹介
略歴
１９８４年 富士電機株式会社入社
１９８８年よりIGBTをはじめパワーデバイスの研究開発に従事
薄ウェハIGBTモジュールの開発ならびに製品化
2００９年 (独)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET,SBDの研究、製品開発に従事
開発したSiCデバイスを搭載した産業用インバータや太陽光PCSが製品化されています
２０１３年４月より国立大学法人筑波大学 数理物質系 教授。現在に至る
SiCパワーデバイスの研究に従事
書籍
１．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 （科学情報出版, 2019年9月）
２．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Chapert 4 担当・執筆
(Elsevier, Oct. 2018)
３．”Handbook of Semiconductor Devices”, Chapter Silicon Power Devices担当執筆
(Springer, Nov. 2022)
監修書
４．「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」（S＆T出版, 2022年7月）
５．「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（エヌ・ティーエス, 2022年2月）、
６．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（シーエムシー出版, 2021年8月）
受賞
2020年12月 日経エレクトロニクス ﾊﾟﾜｰｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽｱﾜｰﾄﾞ2020 最優秀賞受賞
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員関連セミナー
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