EUVリソグラフィ・レジストの最新技術・動向とフォトレジスト・リソグラフィの最先端技術
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1.ロードマップとフォトレジスト・リソグラフィの最先端技術
1.1 IRDS (International Roadmap for Devices and Systems)
　1.1.1リソグラフィへの要求特性
　1.1.2 フォトレジストへの要求特性
1.2 リソグラフィ技術のロードマップ
1.3 フォトレジスト・リソグラフィの最先端技術
　1.3.1 ArF液浸リソグラフィ/レジスト
　1.3.2ハードマスクプロセス
　1.3.3ダブル/マルチパターニング
　　1.3.3.1 リソーエッチ（LE）プロセス
　　1.3.3.2 セルフアラインド（SA）プロセス
　1.3.4自己組織化（DSA）リソグラフィ
　　1.3.4.1 グラフォエピタキシー
　　1.3.4.2 ケミカルエピタキシー
　1.3.5ナノインプリントリソグラフィ
　　1.3.5.1 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
　　1.3.5.2 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
1.4最先端デバイスの動向

2. EUVリソグラフィの最新技術
　2.1 EUVリソグラフィの特徴
　2.2 EUVリソグラフィの基本と課題
　　2.2.1 露光装置
　　2.2.2 光源
　　2.2.3 マスク
　　2.2.4 プロセス
　2.3 EUVリソグラフィのトピックスと今後の動向

3. EUVレジストの最新技術
　3.1 EUVレジストの基本
　　3.1.1 EUVレジストの反応機構
　　3.1.2 EUVレジストの要求特性
　　3.1.3 EUVレジストの設計指針
　　　3.1.3.1 EUVレジスト用ポリマー
　　　3.1.3.2 EUVレジスト用酸発生剤
　3.2 EUVレジストの課題と対策
　　3.2.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　3.2.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　3.3 EUVレジストの動向
　　3.3.1分子レジスト
　　3.3.2ネガレジスト
　　3.3.3ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　3.3.4フッ素含有ポリマーレジスト
　3.4 EUVメタルレジスト
　　3.4.1メタルレジストの特徴
　　3.4.2メタルレジストの性能
　　3.4.3メタルレジストドライプロセス
　　3.4.4メタル増感剤
　3.5 EUVレジストの今後の動向

4.リソグラフィの今後の技術展望

5.フォトレジストの市場動向

質疑・応答


講師紹介
略歴
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジストの開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。
フォトポリマーコンファレンス企画担当理事、フォトポリマー懇話会企画委員長